今天明道小编要给大家介绍的是标识牌制作中的腐蚀工艺， 欢迎咨询明道技术人员（TEL：0519-87874444）了解详情！
　  1、硅片去层作业：⑴、碱洗去层：在反应容器中配制20-40%的氢氧化钠溶液为腐蚀溶液，将硅片加入碱锅里进行腐蚀，根据硅片的结深确定腐蚀时间，一般为30---120秒。用漏勺捞起看硅料表面是否光亮无杂质。
 
　　⑵、冲洗残碱：在冲洗槽中将硅片上附着的残碱冲洗干净。
 
　　⑶、超声波超洗：①、在超声波内注入足量纯净水以能够淹没硅片为准。②、将10－15千克的硅片用纯净水冲净，倒入清洗槽内，打开超声机清洗开关，每10分钟将硅片全部翻动一次，以免叠片时夹杂杂质，无法清洗出来。清洗20分钟换两次水后关闭超声清洗开关，将槽内清洗水放尽。③、用高纯水再超两次（每次10分钟），每3分钟将硅片翻动一次，最后关闭超声波开关，放尽清洗水，翻动硅片，将杂质和残留硅片上的清洗水冲尽。④、氢氟酸浸泡：在浸泡池中配置15%～25%的氢氟酸溶液，将硅片放入浸泡池内浸泡5-6分钟，并搅拌硅片避免叠片。或用1：15－20的混酸进行清洗30S左右。⑤、冲洗残酸：在冲洗槽中将硅片残酸冲洗干净。
 
　　⑥、超声波清洗：A、在超声波内注入足量纯净水以能够淹没硅片为准。
 
　　B、将10－15千克的硅片用纯净水冲净，倒入清洗水槽内，打开清洗开关，每10分钟将硅片全部翻动一次，以免叠片时夹杂杂质，无法清洗出来。超声时间按车间具体规定执行。
 
　　C、用高纯水冲洗硅片，将残留杂质冲净。
 
　　D、用高纯水冲洗将杂质和残留硅片上的清洗水冲尽。
 
　　E、脱水：用纱网，每次放硅片5-6千克到脱水机中脱水2分钟。
 
　　F、冲洗：将硅片放入冲洗槽中沖洗并搅拌。
 
　　G、烘干：将硅片放入花篮中，堆积厚度小于２厘米，并将硅片用塑料棒划通气缝。烘箱温度调至115℃，烘干2～4小时。
 
　　2、硅片浸泡作业：
 
　　⑴、湿法蚀刻工艺：将硅片倒入浸泡池中，体积不超过浸泡池的2/3。在浸泡池中倒入腐蚀溶液。腐蚀溶液为氢氟酸49-59%的工业纯刻蚀溶液，浸泡12小时后，放出酸液，将硅片冲洗干净。
 
　　⑵、去除金属沾污：配制王水溶液，根据气温变化稀释至30-50%的浓度，浸泡12小时后，放出酸液，将硅片冲洗干净。
 
　　⑶、二次湿法蚀刻工艺：将硅片倒入浸泡池中，体积不超过浸泡池的2/3。在浸泡池中倒入腐蚀溶液。腐蚀溶液配比为HF：NH4F=（6-10）工业氢氟酸，浸泡：112小时后，放出酸液，将硅片冲洗干净。